作者:佚名 来源:本站整理
发布/更新时间:2017-04-06 11:07:23
2016年1月8日上午,2015年度国家科学技术奖励大会在人民大会堂隆重举行,渭源一中校96届学子刘军林所在“南昌大学江风益团队”自主研发的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获国家技术发明一等奖。江风益教授作为项目第一完成人上台接受习近平主席的颁奖,刘军林作为项目第二完成人在人民大会堂参加颁奖大会。
“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获奖团队成员包括江风益(南昌大学)、刘军林(南昌大学)、王立(南昌大学)、孙钱(晶能光电)、熊传兵(南昌大学)、王敏(中节能晶和照明)等六人。
1996年,经过三年时间的技术跟踪,江风益、刘军林带领团队转向自主核心技术的研发,在南昌大学拉开了从事GaN蓝光LED研究、自主创造光明“中国芯”的序幕。历经19年的科研攻关,在LED照明技术上取得突破性成果,成功研发出硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管,并在市场应用上取得明显经济效益和社会效益,走出了一条“硅基发光,中国创造”的新路线。
世界上第一支LED诞生于1962年,正式作为照明光源,是日本在1993年取得的突破,这项蓝宝石衬底GaN基蓝光LED技术获得2014年诺贝尔奖。1995年,美国成功研发碳化硅衬底GaN基蓝光LED技术,获得2003年美国总统技术发明奖。而南昌大学硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管的诞生,使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。“中国芯”与日美技术形成全球三足鼎力之势,打破了日本蓝宝石衬底、美国碳化硅衬底长期垄断国际LED照明核心技术的局面,中国为之骄傲,世界为之震动。
在相同照明效果下,半导体照明(LED)比传统光源节能40%—90%,寿命比传统光源长10倍以上,具有较强的节能效益和经济效益。据行业人士介绍,我国半导体照明产业市场规模预计2020年达1.2万亿元。“十三五”期间,江西省将以这项发光技术为核心,重点建设“南昌光谷”,致力打造千亿LED产业。
附:刘军林简介
刘军林,男,汉族,系渭源一中96届高三2班毕业生,现为博士、研究员,博士研究生导师,国家硅基LED工程技术研究中心常务副主任,江西省百千万人才工程人选,主要从事LED芯片及外延研发工作,现主持一项国家科技支撑计划“硅基高亮绿光LED研发”(获资助1369万元)、一项国家自然科学基金重点项目“有源区内电场对GaN基绿光发光二极管内量子效率影响的研究”(获资助260万元)和一项江西省科技厅重大专项“与MOCVD装备配套的LED材料生长技术的研发”(获资助100万元)。主要研究方向为:Si
衬底上 GaN 基半导体材料生长与器件研制;功率型蓝、绿光及白光 LED 材料与芯片;ZnO 基半导体材料生长。
主要代表论文有:
1)刘军林,赵永庆,周廉. Ti-2.5Cu,Ti-3Fe,Ti-3Cr合金铸锭的偏析[J]. 稀有金属材料与工程, 2004, 33(7):
731-735. (SCI: 847PZ; EI: 04448437250)
2)赵永庆,刘军林,周廉. 典型β型钛合金元素Cu,Fe和Cr的偏析规律[J]. 稀有金属材料与工程, 2004, 34(4): 531-538.
(SCI: 923ZM; EI: 05219119301)
3)Liu Junlin, Zhao Yongqing, Zhou Lian. Microcosmic Segregation of Ti-6Al-4V
Ingot by VAR[C]. The 10th World Conference on Titanium,2003,Germany.
4)Junlin Liu, Jiqiang Gao, Jikuan Cheng, Jianfeng Yang, Guanjun Qiao. Model
for micropipe formation in 6H-SiC single crystal by sublimation method [J].
Materials Letters, 2005, 59(18): 2374-2377. (SCI: 935XQ;EI: 05249155840)
5)Junlin Liu, Jiqiang Gao, Jikuan Cheng, Jianfeng Yang, Guanjun Qiao. Effects
of graphitization degree of crucible on SiC single crystal growth process [J].
Diamond and Related Materials, 2006, 15(1): 117-120. (SCI: 002IU;EI:
05529616858)
6)刘军林,高积强,程基宽,杨建峰,乔冠军. 坩埚石墨化度对SiC单晶生长过程的影响[J].稀有金属材料与工程,
2005,34(12):1944-1947. (SCI: 000KF;EI: 06049664494)
7)Junlin Liu, Jiqiang Gao, Jikuan Cheng, Jianfeng Yang, Guanjun Qiao. Methods
for the Reduction of the Micropipe Density in SiC Single Crystals [J]. Journal
of Materials Science. (SCI源期刊,出版中)
8)Junlin Liu, Jiqiang Gao, Jikuan Cheng, Xian Jiang, Jianfeng Yang. Effects of
source materials and container on growth process of SiC crystal [J]. Crystal
Growth & Design, 2006, 6(9): 2166-2168(SCI源刊)